RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2939
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link