RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
3055
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link