RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2619
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link