RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
3297
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link