RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
25
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
14
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
4182
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GRSL 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link