RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2709
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link