RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
86
Wokół strony 71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
86
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
1658
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link