RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2482
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link