RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2429
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link