RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2429
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link