RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
25
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2874
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Lenovo 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link