RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3273
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link