RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
25
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
17
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
21.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3814
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905402-416.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link