RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3273
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link