RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2969
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link