RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2930
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link