RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
56
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
56
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2795
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
UMAX Technology 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kllisre 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link