RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2994
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link