RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
79
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
79
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1330
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link