RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3157
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link