RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
79
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
79
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1651
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4A
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link