RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3657
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link