RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3956
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link