RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3429
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link