RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3600
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link