RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3465
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link