RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3844
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Elpida EBJ41HE4BDFA-DJ-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link