RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
75
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
75
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1735
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link