RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
80
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
80
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1775
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link