RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3563
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link