RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
43
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2809
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link