Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Wynik ogólny

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Wynik ogólny

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

14.9 11.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.6 5.4

Średnia wartość w badaniach

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

32 43

Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 12800

Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

43 32
Prędkość odczytu, GB/s

14.9 11.7
Prędkość zapisu, GB/s

9.6 5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps

12800 19200

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2506 1424

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB

Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB

Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Super Talent F24EA8GS 8GB

Super Talent F24EA8GS 8GB

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB

Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB

Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB

Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB

Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB