RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2919
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link