RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
43
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2570
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link