RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3409
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link