RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
45
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
45
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3027
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link