RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
43
Wokół strony -153% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
17
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3702
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link