RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
43
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
20
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3217
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link