RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3495
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link