Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs InnoDisk Corporation 16GB

Wynik ogólny

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Wynik ogólny

InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

14.9 7.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.6 8.2

Średnia wartość w badaniach

InnoDisk Corporation 16GB

Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

38 43

Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 12800

Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

InnoDisk Corporation 16GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

43 38
Prędkość odczytu, GB/s

14.9 7.7
Prędkość zapisu, GB/s

9.6 8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps

12800 17000

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2506 2163

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB

EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB

Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB

Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB

Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB

Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

AMD R332G1339U1S 2GB

AMD R332G1339U1S 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB