RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2946
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link