RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
43
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
21
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2337
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link