RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2913
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
UMAX Technology 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link