RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
43
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2780
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link