RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2712
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link