Porównanie pamięci RAM Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Wynik ogólny

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

43 73

Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.6 9.1

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

15.2 14.9

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 12800

Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2506 1843

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns