RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2811
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link