RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2394
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5403-083.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link