RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3434
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link