RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3061
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link