RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3189
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link